二硅化钒（VSi?）主要应用于 半导体材料 领域，具体用途如下：

半导体材料

二硅化钒可通过 金属离子注入 或 高温退火 工艺制备 硅化钒薄膜 ，其方块电阻（Rs） 可达9Ω，电阻率低至72μΩ·m，适用于 超大规模集成电路 （如64兆位芯片）的 欧姆接触 、 肖特基势垒 及 电极引线 。其薄层厚度仅80nm，可避免浅结表面（如200nm结深）的PN结穿通问题，显著提升电路稳定性。

工业应用

作为 纳米粉体材料 ，二硅化钒还广泛应用于 核工业 、   、 太阳能 等领域，例如 钛基合金强化 、 高强度耐热合金 及 核燃料包套 的制造。

实验材料

部分供应商提供纯度为99.5%的二硅化钒粉体，适用于科研领域，如材料性能测试或新型半导体器件开发